ESR studies of defects in electron irradiated p-type 3C-SiC epilayers

伊藤 久義; 吉川 正人; 梨山 勇; 三沢 俊司*; 奥村 元*; 吉田 貞史*

Inst. Phys. Conf. Ser., 0(137), p.255 - 258, 1994/00

シリコン(Si)上へのヘテロエピタキシャル成長時にアルミ(Al)不燃物をドープして作製したp型立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)において、1MeV電子線照射により形成される欠陥を電子スピン共鳴(ESR)法を用いて調べた。その結果、既知のT1,T5センター以外に、2種類の新たなESRセンターT6,T7を見い出した。T6(g値~2.003)及びT7(g値~2.01)-ESRシグナルは、両方共、有効スピンS=1の微細相互作用に起因し、電子スピン-電子スピン間の相互作用定数Dは111軸対称であることが解った。Dの絶対値としては、T6,T7に対し各々1.210cm、5.210cmなる値が得られた。これらの値から、T6,T7センターにおける2電子スピン間の平均距離は各々6.1、3.8と見積れる。これらの結果は、T6,T7-ESRシグナルが、111軸方向に配列した空孔-格子間原子対に起因することを示唆している。